EL SEGUNDO, California–(BUSINESS WIRE)–A Integra, uma provedora lider inovadora de solucoes RF e potencia de micro-ondas que ajuda a tornar o mundo mais seguro e mais conectado, apresentou hoje a primeira tecnologia 100V RF GaN/SiC do setor focada em uma ampla variedade e aplicacoes incluindo radar, avionicos, guerra eletronica, industrial e sistemas cientificos e medicos. Operando a 100V, essa tecnologia quebra as barreiras do desempenho de potencia RF alcancando 3,6 kiloWatts (kW) de potencia de saida em um unico transistor GaN. O 100V GaN da Integra oferece aos projetistas a habilidade para aumentar drasticamente os niveis de potencia e funcionalidade do sistema, enquanto simplifica as arquiteturas do sistema com menos circuitos de combinacao de energia quando comparado a mais usual tecnologia 50V/65V GaN. Os clientes se beneficiam de uma menor pegada de sistema e mais baixo custo de sistema.

Suja Ramnath, presidente e diretor executivo da Integra disse: “A tecnologia 100V RF GaN da Integra significa um importante marco no mercado de alta potencia. Essa tecnologia inovadora remove barreiras que atualmente limitam o desempenho do sistema e permite novas arquiteturas que nao eram ate entao possiveis. Estamos empolgados com essa tecnologia transformadora que permitira que nossos clientes entreguem uma nova geracao de solucoes de potencia de alto desempenho e multikiloWatt RF enquanto reduzem o tempo de ciclo de projeto e custos de producao”.

Dr. Mahesh Kumar, executivo de arquitetura e tecnologia de sistemas de radares aeroespaciais e de defesa, disse: “A primeira tecnologia 100V RF GaN da Integra para o mercado redefinira completamente o que e possivel para sistemas RF de alta potencia”. Ao entregar aproximadamente o dobro da potencia em comparacao a um transistor 50V GaN em um unico pacote, ele eliminara um significativo numero de combinadores e circuitos eletronicos associados, resultando em menor volume, peso e custo do sistema, e maior eficiencia do sistema.

O primeiro produto 100V RF GaN da Integra e o IGN1011S3600, projetado especificamente para aplicacoes avionicas. O IGN1011S3600 entrega uma potencia de saida de 3,6 kW, lider no setor, com 19 dB de ganho e 70% de eficiencia. O IGN1011S3600, baseado no 100V RF GaN da Integra, e uma solucao atraente para programas que requerem melhorias em tamanho, peso, potencia e custo (SWAP-C). O IGN1011S3600 100V RF GaN/SiC esta disponivel para amostragem para clientes qualificados.

SOBRE A INTEGRA TECHNOLOGIES, INC.

Fundada em 1997, a Integra e uma inovadora lider de solucoes de paletes de amplificador e semicondutor de alta potencia de RF e micro-ondas para aplicacoes de missao critica, incluindo radar de ultima geracao, guerra eletronica e sistemas de comunicacao avancados. Para outras informacoes, acesse www.integratech.com.

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