GOLETA, Californie–(BUSINESS WIRE)–Transphorm Inc. (OTCQB : TGAN), un pionnier et fournisseur mondial de produits de conversion de puissance, au nitrure de gallium (Gallium Nitride, GaN), haute performance et d’une grande fiabilite, a annonce aujourd’hui la disponibilite des echantillons de son premier dispositif Gen V sous sa marque exclusive SuperGaNTM. Le TP65H015G5WS, nouveau dispositif Gen V de Transphorm, cible le marche des vehicules electriques (VE) et offre des ameliorations a la pointe du secteur en matiere de performances et de facilite de conception, ainsi que la structure de couts optimisee inherente a la gamme de dispositifs SuperGaN. En particulier, la solution GaN Gen V de la Societe offre la resistance a l’etat passant en boitier, la plus faible au monde, avec une perte de puissance inferieure de 25 % a celle du carbure de silicium (SiC) dans un boitier TO-247-3 standard, renforcant ainsi le potentiel de GaN sur le marche de la conversion de puissance pour VE.
En mars 2020, Marelli, l’un des plus grands fournisseurs independants du secteur automobile a l’echelle mondiale, a annonce un partenariat strategique avec Transphorm dans le but de collaborer sur de nouvelles solutions de conversion de puissance automobile/VE basees GaN, notamment des chargeurs embarques (On-board Chargers, OBC), des convertisseurs CA-CC, et des onduleurs de groupe motopropulseur pour vehicules electriques et hybrides. A ce jour, Marelli a fait un placement en actions de 4 millions USD dans Transphorm et s’est engagee a faire un placement en actions supplementaire de 1 million USD au 1er trimestre 2021.
Le Dr Joachim Fetzer, PDG d’Electric Powertrain Marelli, a commente en ces termes, <>
<>, a declare Primit Parikh, directeur de l’exploitation et co-fondateur de Transphorm. <>
La technologie SuperGaN(TM) de Transphorm surperforme le carbure de silicium
La plateforme SuperGaN Gen V integre tous les acquis de la technologie d’inductance a boitier reduit brevetee, la facilite de conception et la maniabilite (Ve de 4 V pour l’immunite au bruit), et la robustesse de grille de +/- 20 Vmax de la plateforme Gen IV precedente, ainsi qu’une structure d’assemblage simplifiee et reduite. Dans un article recent publie dans EEWorld, << Pushing the Boundaries of High Voltage GaN Power Conversion >> (Repousser les limites de la conversion de puissance GaN haute tension), le TP65H015G5WS de la societe a ete compare a un SiC MOSFET a resistance a l’etat passant, similaire et a la pointe de la technologie, dans un boitier TO-247-3 standard. Les deux dispositifs fonctionnaient a un niveau de performance pouvant atteindre 12 kW a 70 kHz dans un convertisseur elevateur synchrone a demi pont, le dispositif GaN de Transphorm offrant jusqu’a 25 % de pertes en moins.
Transphorm a commence a offrir des echantillons du SuperGaN Gen V FET, un dispositif de 15 m? 650 V, qui n’est pas disponible avec la technologie GaN e-mode a puce unique actuelle, en raison de sa sensibilite de grille. La solution, qui correspond a la R la plus faible fournie par les SiC MOSFET ordinaires, dans un boitier discret, est capable de produire plus de 10 kW selon l’application cible, comme les OBC VE et les onduleurs de groupe motopropulseur, les alimentations pour serveurs de centres de donnees alimentes par rack, les applications de puissance industrielles sans interruption, et les onduleurs photovoltaiques renouvelables. Le TP65H015G5WS sera egalement disponible pour les solutions de module de niveau puce permettant une autre mise en parallele et encore plus de puissance. La Societe s’attend a ce que son dispositif Gen V FET recoive la qualification JEDEC vers la fin du premier semestre 2021, et la qualification AEC-Q101 par la suite.
A propos de Marelli
MARELLI figure parmi les plus importants fournisseurs independants du secteur automobile, a l’echelle mondiale. Avec une experience solide et reconnue en matiere d’innovation et d’excellence de fabrication, notre mission est de transformer l’avenir de la mobilite en travaillant avec des clients et des partenaires pour creer un monde plus sur, plus vert et mieux connecte. MARELLI emploie pres de 60 000 personnes a travers le monde, et gere 170 sites et centres de R&D a travers l’Asie, les Ameriques, l’Europe et l’Afrique, lesquels ont genere des revenus de 13,4 milliards EUR (1 541 milliards JPY) en 2019.
A propos de Transphorm
Transphorm, Inc., un leader mondial dans la revolution GaN, concoit et fabrique les semi-conducteurs GaN haute performance et haute fiabilite, pour les applications de conversion de puissance a haute tension. Transphorm possede l’un des plus importants portefeuilles de PI Power GaN de plus de 1000 brevets proprietaires ou sous licence, et produit les premiers dispositifs semi-conducteurs GaN haute tension, qualifies JEDEC et AEC-Q101, du secteur. Le business model de dispositifs a integration verticale, de la Societe permet d’innover a chaque stade du developpement : conception, fabrication, dispositif et prise en charge d’applications. Les innovations de Transphorm entrainent l’electronique de puissance au-dela des limites du silicium, pour atteindre plus de 99 % d’efficacite, 40 % de densite de puissance supplementaire, et une reduction de 20 % du cout de systeme. Transphorm a son siege a Goleta, en Californie, et des installations de fabrication a Goleta et a Aizu, au Japon. Pour en savoir plus, rendez-vous sur www.transphormusa.com. Suivez-nous sur Twitter @transphormusa.
La marque SuperGaN est une marque deposee de Transphorm, Inc. Toutes les autres marques de commerce appartiennent a leurs proprietaires respectifs.
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